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ZDT694TA

ZDT694TA Diodes Incorporated

ZDT694.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN DUAL 120V 500MA SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.75W
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SM8
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Technische Details ZDT694TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZDT694TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 500 mA, 2.75 W, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 130MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SM8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 2.75W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZDT694TA ZDT694TA DIODES INC. DIOD-S-A0000495862-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZDT694TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 500 mA, 2.75 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 130MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SM8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 2.75W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
auf Bestellung 997 Stücke:
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ZDT694TA ZDT694TA Diodes Incorporated ZDT694.pdf Description: TRANS 2NPN DUAL 120V 500MA SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.75W
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SM8
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ZDT694TA ZDT694TA DIODES INC. DIOD-S-A0000495862-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZDT694TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 500 mA, 2.75 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 130MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SM8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 2.75W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
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ZDT694TA ZDT694TA Diodes Incorporated ZDT694-92113.pdf Bipolar Transistors - BJT Dual NPN Medium Powe r
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ZDT694TA DIOD-S-A0000495862-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZDT694TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZDT694TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 500 mA, 2.75 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 130MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SM8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 2.75W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
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ZDT694TA ZDT694.pdf
ZDT694TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN DUAL 120V 500MA SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.75W
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SM8
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50+1.93 EUR
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ZDT694TA DIOD-S-A0000495862-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZDT694TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZDT694TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 500 mA, 2.75 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 130MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SM8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 2.75W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
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51+4.95 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Dual NPN Medium Powe r
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