ZTX1055A
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Technische Details ZTX1055A
Description: TRANS NPN 120V 3A E-LINE, Packaging: Bulk, Package / Case: E-Line-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 10V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 1 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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ZTX1055A | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 120V 3A E-LINE Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 10V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ZTX1055A | Bourns |
Bipolar Transistors - BJT |
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ZTX1055A | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN High Current |
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| ZTX1055A |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 120V 3A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 120V 3A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
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Hersteller: Bourns
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN High Current
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