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ZTX658

ZTX658 Diodes Zetex

ztx658.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 3-Pin E-Line
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Technische Details ZTX658 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZTX658 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZTX658 ZTX658 Diodes Zetex ztx658.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 3-Pin E-Line
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ZTX658 ZTX658 Diodes Zetex ztx658.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 3-Pin E-Line
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ZTX658 ZTX658 Diodes Incorporated ZTX658.pdf Description: TRANS NPN 400V 0.5A E-LINE
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Bulk
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9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
4000+0.64 EUR
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ZTX658 ZTX658 Diodes Incorporated ZTX658.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Super E-Line
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10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.74 EUR
4000+0.62 EUR
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ZTX658 ZTX658 DIODES INC. DIODS11613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZTX658 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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118+1.99 EUR
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ZTX658
Hersteller: Diodes Zetex
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Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 3-Pin E-Line
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ZTX658
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 400V 0.5A E-LINE
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
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ZTX658 DIODS11613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX658 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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118+1.99 EUR
177+1.21 EUR
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