ZTX851 DIODES INCORPORATED
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 1.2W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO92
Current gain: 25...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 130MHz
Quantity in set/package: 4000pcs.
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 1.87 EUR |
| 63+ | 1.15 EUR |
| 77+ | 0.94 EUR |
| 100+ | 0.82 EUR |
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Technische Details ZTX851 DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - ZTX851 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 1.2W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Weitere Produktangebote ZTX851 nach Preis ab 0.58 EUR bis 2.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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ZTX851 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 5A E-LINE Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W |
auf Bestellung 8420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZTX851 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZTX851 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: E-Line Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
auf Bestellung 3033 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ZTX851 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 5A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS NPN 60V 5A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 8420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.39 EUR |
| 12+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.72 EUR |
| 4000+ | 0.62 EUR |
| 8000+ | 0.58 EUR |
| ZTX851 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX851 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: DIODES INC. - ZTX851 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Dauerkollektorstrom: 5A
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 3033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)