ZTX851STZ Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 5A E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.69 EUR |
| 4000+ | 0.64 EUR |
| 6000+ | 0.62 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ZTX851STZ Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZTX851STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.58W, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ZTX Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ZTX851STZ nach Preis ab 0.7 EUR bis 2.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZTX851STZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine |
auf Bestellung 2559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
ZTX851STZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 5A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W |
auf Bestellung 3470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
ZTX851STZ | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZTX851STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.58W Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ZTX Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
ZTX851STZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
ZTX851STZ | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| ZTX851STZ | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 1.2W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 5A Power dissipation: 1.2W Case: TO92 Current gain: 25...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 130MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |