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ZTX853

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Produktcode: 186824
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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ZTX853 ZTX853 Diodes Zetex ztx853.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
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ZTX853 ZTX853 Diodes Zetex ztx853.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
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ZTX853 ZTX853 Diodes Incorporated ZTX853.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
auf Bestellung 5370 Stücke:
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2+2.39 EUR
10+1.45 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
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ZTX853 ZTX853 Diodes Incorporated ZTX853.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 22452 Stücke:
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8+2.45 EUR
12+1.54 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
4000+0.63 EUR
8000+0.59 EUR
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ZTX853 ZTX853 DIODES INC. DIODS12043-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZTX853 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3540 Stücke:
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ZTX853 ZTX853 Diodes Zetex ztx853.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
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ZTX853
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
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Anzahl Preis
280+0.55 EUR
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ZTX853
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 4000
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ZTX853
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
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2+2.39 EUR
10+1.45 EUR
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ZTX853
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 4A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
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ZTX853
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX853 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZTX853
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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