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Technische Details ZTX853STZ Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZTX853STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.58W, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ZTX Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ZTX853STZ nach Preis ab 0.63 EUR bis 2.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ZTX853STZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 100V 4A E-LINEPackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W |
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ZTX853STZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine |
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ZTX853STZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 4A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W |
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ZTX853STZ | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZTX853STZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.58W Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ZTX Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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ZTX853STZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZTX853STZ | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| ZTX853STZ | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 1.2W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 1.2W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack |
Produkt ist nicht verfügbar |