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Technische Details ZTX855STZ Diodes Zetex
Description: TRANS NPN 150V 4A E-LINE, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: E-Line-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 90MHz, Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible), Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 1.2 W.
Weitere Produktangebote ZTX855STZ nach Preis ab 0.68 EUR bis 1.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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ZTX855STZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 150V 4A E-LINEPackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.2 W |
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ZTX855STZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine |
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ZTX855STZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 150V 4A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
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