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ZTX949

ZTX949 Diodes Incorporated

ZTX949.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP Big Chip SELine
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Technische Details ZTX949 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZTX949 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 4.5 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.58W, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: ZTX Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZTX949 ZTX949 Hersteller : DIODES INC. ZTX949.pdf Description: DIODES INC. - ZTX949 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 4.5 A, 1.58 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.58W
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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ZTX949 Hersteller : Diodes Inc./Zetex ZTX949.pdf
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ZTX949 ZTX949
Produktcode: 89080 		ZTX949.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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ZTX949 ZTX949 Hersteller : Diodes Inc ztx949.pdf Trans GP BJT PNP 30V 4.5A 1200mW 3-Pin E-Line
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ZTX949 ZTX949 Hersteller : Diodes Zetex ztx949.pdf Trans GP BJT PNP 30V 4.5A 1200mW 3-Pin E-Line
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ZTX949 ZTX949 Hersteller : Diodes Incorporated ZTX949.pdf Description: TRANS PNP 30V 4.5A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 300mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.58 W
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