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ZTX951

ZTX951 Diodes Zetex

ztx951.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
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Technische Details ZTX951 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZTX951 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 1.2W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZTX951 ZTX951 Diodes Zetex ztx951.pdf Trans GP BJT PNP 60V 4A 1200mW 3-Pin E-Line
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ZTX951 ZTX951 Diodes Incorporated ZTX951.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
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ZTX951 ZTX951 Diodes Incorporated ZTX951.pdf Description: TRANS PNP 60V 4A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
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10+2.55 EUR
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ZTX951 ZTX951 DIODES INC. DIODS11634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZTX951 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
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ZTX951 DIODS11634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX951 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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