ZVN2110GTA Diodes Zetex
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Technische Details ZVN2110GTA Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote ZVN2110GTA nach Preis ab 0.21 EUR bis 2.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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ZVN2110GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZVN2110GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZVN2110GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
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ZVN2110GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 100V |
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ZVN2110GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
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ZVN2110GTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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| ZVN2110GTA | Hersteller : Zetex |
N-MOSFET; 100V; 20V; 4Ohm; 500mA; 2W; -55°C ~ 150°C; ZVN2110GTA Diodes TZVN2110g Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ZVN2110GTA Produktcode: 107399
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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ZVN2110GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZVN2110GTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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