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ZVN2110GTA

ZVN2110GTA Diodes Zetex

zvn2110g.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZVN2110GTA Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZVN2110GTA ZVN2110GTA Hersteller : Diodes Zetex zvn2110g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZVN2110GTA ZVN2110GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZVN2110G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
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ZVN2110GTA ZVN2110GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZVN2110G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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ZVN2110GTA ZVN2110GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZVN2110G.pdf MOSFETs N-Chnl 100V
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ZVN2110GTA ZVN2110GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZVN2110G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
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ZVN2110GTA ZVN2110GTA Hersteller : Diodes Inc zvn2110g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZVN2110GTA Hersteller : Zetex ZVN2110G.pdf N-MOSFET; 100V; 20V; 4Ohm; 500mA; 2W; -55°C ~ 150°C; ZVN2110GTA Diodes TZVN2110g
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Produktcode: 107399
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