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ZVN3306A

ZVN3306A Diodes Zetex

zvn3306a.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 270 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details ZVN3306A Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZVN3306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZVN3306A ZVN3306A Diodes Zetex zvn3306a.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.52 EUR
174+1 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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ZVN3306A ZVN3306A DIODES INCORPORATED ZVN3306A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
93+0.92 EUR
123+0.69 EUR
145+0.6 EUR
200+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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ZVN3306A ZVN3306A Diodes Zetex zvn3306a.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.34 EUR
116+1.46 EUR
175+0.94 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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ZVN3306A ZVN3306A Diodes Incorporated ZVN3306A.pdf MOSFETs N-Chnl 60V
auf Bestellung 6229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.74 EUR
4000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZVN3306A ZVN3306A Diodes Incorporated ZVN3306A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
25+1.48 EUR
50+1.3 EUR
100+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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ZVN3306A ZVN3306A DIODES INC. DIODS12049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVN3306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
112+2.09 EUR
169+1.27 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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ZVN3306A
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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1000+0.75 EUR
2000+0.74 EUR
4000+0.61 EUR
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Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
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25+1.48 EUR
50+1.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN3306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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