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Technische Details ZVN3310ASTZ Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVN3310ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 10 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote ZVN3310ASTZ nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ZVN3310ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
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ZVN3310ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 100V |
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ZVN3310ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
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ZVN3310ASTZ | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN3310ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 10 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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ZVN3310ASTZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin E-Line Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZVN3310ASTZ | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin E-Line Box |
Produkt ist nicht verfügbar |