ZVN4206AVSTZ DIODES INCORPORATED
Hersteller: DIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 0.7W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 80+ | 0.9 EUR |
| 83+ | 0.87 EUR |
| 85+ | 0.84 EUR |
| 106+ | 0.68 EUR |
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| 178+ | 0.4 EUR |
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Technische Details ZVN4206AVSTZ DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - ZVN4206AVSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote ZVN4206AVSTZ nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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ZVN4206AVSTZ | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.6A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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,TO-226_straightlead.jpg "ZVN4206AVSTZ") |
ZVN4206AVSTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZVN4206AVSTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET Avalanche |
auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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ZVN4206AVSTZ | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4206AVSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVN4206AVSTZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZVN4206AVSTZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZVN4206AVSTZ | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A Automotive 3-Pin E-Line T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZVN4206AVSTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
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