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ZVN4210GTA

ZVN4210GTA Diodes Zetex

zvn4210g.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 872 Stücke:
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Technische Details ZVN4210GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZVN4210GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote ZVN4210GTA nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZVN4210GTA ZVN4210GTA Diodes Incorporated ZVN4210G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
auf Bestellung 1000 Stücke:
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ZVN4210GTA ZVN4210GTA Diodes Incorporated ZVN4210G.pdf MOSFETs N-Chnl 100V
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.51 EUR
100+0.92 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZVN4210GTA ZVN4210GTA Diodes Incorporated ZVN4210G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
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ZVN4210GTA ZVN4210GTA DIODES INC. DIOD-S-A0014229883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVN4210GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1213 Stücke:
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85+2.95 EUR
129+1.81 EUR
208+1.04 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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ZVN4210GTA ZVN4210GTA DIODES INC. DIOD-S-A0014229883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVN4210GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 800mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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129+1.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ZVN4210GTA ZVN4210G.pdf
ZVN4210GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
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ZVN4210GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 100V
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AnzahlPrivatkunde
2+2.26 EUR
10+1.51 EUR
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500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
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5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZVN4210GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-223-3
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auf Bestellung 2590 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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ZVN4210GTA DIOD-S-A0014229883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZVN4210GTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4210GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1213 Stücke:
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85+2.95 EUR
129+1.81 EUR
208+1.04 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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ZVN4210GTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4210GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 800mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
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Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.95 EUR
129+1.81 EUR
208+1.04 EUR
500+0.93 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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