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Technische Details ZVN4306A Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVN4306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.33 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 850mW, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm.
Weitere Produktangebote ZVN4306A nach Preis ab 2.2 EUR bis 7.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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ZVN4306A | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZVN4306A | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.33 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 850mW SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm |
auf Bestellung 1622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVN4306A | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 15A; 0.85W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.1A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 0.85W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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ZVN4306A | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A 3-Pin E-Line Box |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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ZVN4306A | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A 3-Pin E-Line Box |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ZVN4306A |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 5276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.02 EUR |
| 10+ | 3.22 EUR |
| 25+ | 2.75 EUR |
| 50+ | 2.45 EUR |
| 100+ | 2.2 EUR |
| ZVN4306A |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.33 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 850mW
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
Description: DIODES INC. - ZVN4306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.33 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 850mW
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.68 EUR |
| 51+ | 4.59 EUR |
| 100+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.62 EUR |
| 1000+ | 2.55 EUR |
| ZVN4306A |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 15A; 0.85W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.85W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 15A; 0.85W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.85W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZVN4306A |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A 3-Pin E-Line Box
Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A 3-Pin E-Line Box
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZVN4306A |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A 3-Pin E-Line Box
Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A 3-Pin E-Line Box
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)