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Technische Details ZVN4306A Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVN4306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.33 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 850mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ZVN4306A nach Preis ab 0.94 EUR bis 3.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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ZVN4306A | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A 3-Pin E-Line Box |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVN4306A | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A 3-Pin E-Line Box |
auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVN4306A | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 15A; 0.85W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.1A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 0.85W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVN4306A | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 60V |
auf Bestellung 4487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZVN4306A | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 63431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZVN4306A | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin E-Line Box |
auf Bestellung 2275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVN4306A | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4306A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.33 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 850mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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