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Technische Details ZVN4306AV Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVN4306AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.22 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 850mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ZVN4306AV nach Preis ab 1.13 EUR bis 2.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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ZVN4306AV | Diodes Incorporated |
 MOSFETs Avalanche |
auf Bestellung 3236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZVN4306AV | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4306AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.22 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 850mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVN4306AV | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Supplier Device Package: TO-92 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V |
auf Bestellung 17057 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZVN4306AV | ZETEX |
06+; |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ZVN4306AV |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Avalanche
MOSFETs Avalanche
auf Bestellung 3236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.24 EUR |
| 10+ | 1.71 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |
| ZVN4306AV |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4306AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.22 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 850mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZVN4306AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.22 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 850mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3133 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 94+ | 2.68 EUR |
| 122+ | 1.9 EUR |
| 152+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| ZVN4306AV |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
auf Bestellung 17057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.92 EUR |
| 10+ | 2.38 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| 1000+ | 1.29 EUR |
| 4000+ | 1.2 EUR |
| 8000+ | 1.14 EUR |
| 12000+ | 1.13 EUR |
| ZVN4306AV |
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Hersteller: ZETEX
06+;
06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)