ZVNL120GTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 0.6 EUR |
| 2000+ | 0.53 EUR |
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Technische Details ZVNL120GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVNL120GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 320 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ZVNL120GTA nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ZVNL120GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVNL120GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVNL120GTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.32A; Idm: 2A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.32A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 981 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ZVNL120GTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.32A; Idm: 2A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.32A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVNL120GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2012 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZVNL120GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 200V |
auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZVNL120GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVNL120GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 320 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVNL120GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVNL120GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 320 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZVNL120GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZVNL120GTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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