auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.49 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ZVP2106ASTZ Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVP2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote ZVP2106ASTZ nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVP2106ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINEPackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
ZVP2106ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V |
auf Bestellung 14797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP2106ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Chnl 60V |
auf Bestellung 6499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
ZVP2106ASTZ | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| ZVP2106ASTZ |
|
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
ZVP2106ASTZ | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
ZVP2106ASTZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
ZVP2106ASTZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| ZVP2106ASTZ | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -280mA; Idm: -4A; 700mW; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -280mA Pulsed drain current: -4A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |