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ZVP2106GTA

ZVP2106GTA Diodes Zetex

zvp2106g.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 0.45A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZVP2106GTA Diodes Zetex

Description: MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V.

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ZVP2106GTA ZVP2106GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZVP2106G.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V
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ZVP2106GTA ZVP2106GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0AACBD1D0870F00E2&compId=ZVP2106G.pdf?ci_sign=df326800011a697bd389e608a534cc51394d3e2d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.45A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.45A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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ZVP2106GTA ZVP2106GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0AACBD1D0870F00E2&compId=ZVP2106G.pdf?ci_sign=df326800011a697bd389e608a534cc51394d3e2d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.45A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.45A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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ZVP2106GTA ZVP2106GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZVP2106G.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V
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