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ZVP2110A

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Produktcode: 118751
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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ZVP2110A ZVP2110A Diodes Zetex zvp2110a.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line
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ZVP2110A ZVP2110A Diodes Zetex zvp2110a.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line
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ZVP2110A ZVP2110A DIODES INCORPORATED ZVP2110A.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; Idm: -3A; 0.7W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -230mA
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.82 EUR
72+1.19 EUR
89+0.96 EUR
103+0.83 EUR
110+0.77 EUR
118+0.73 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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ZVP2110A ZVP2110A Diodes Incorporated ZVP2110A.pdf MOSFETs P-Chnl 100V
auf Bestellung 5682 Stücke:
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2+2.95 EUR
10+1.39 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZVP2110A ZVP2110A Diodes Incorporated ZVP2110A.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 9040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
25+1.59 EUR
50+1.42 EUR
100+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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ZVP2110A ZVP2110A DIODES INC. ZVP2110A.pdf Description: DIODES INC. - ZVP2110A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 230 mA, 8 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
111+2.11 EUR
157+1.37 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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ZVP2110A
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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ZVP2110A
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line
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AnzahlPrivatkunde
4000+0.52 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; Idm: -3A; 0.7W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -230mA
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Chnl 100V
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
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25+1.59 EUR
50+1.42 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP2110A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 230 mA, 8 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
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157+1.37 EUR
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