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ZVP3310A

ZVP3310A Diodes Zetex

zvp3310a.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.14A 3-Pin E-Line
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Technische Details ZVP3310A Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZVP3310A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 mA, 20 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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ZVP3310A ZVP3310A Hersteller : Diodes Incorporated DIODS11655_1-2541765.pdf MOSFETs P-Chnl 100V
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ZVP3310A ZVP3310A Hersteller : Diodes Incorporated ZVP3310A.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 42407 Stücke:
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11+1.74 EUR
17+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
4000+0.42 EUR
8000+0.39 EUR
12000+0.37 EUR
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ZVP3310A ZVP3310A Hersteller : DIODES INC. DIODS11655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVP3310A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 mA, 20 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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ZVP3310A ZVP3310A
Produktcode: 44420
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ZVP3310A ZVP3310A Hersteller : Diodes Inc zvp3310a.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.14A 3-Pin E-Line
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ZVP3310A Hersteller : DIODES INCORPORATED ZVP3310A.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -140mA; Idm: -1.2A; 625mW
Case: TO92
Mounting: THT
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1.2A
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