Technische Details ZVP4105A ZETEX
Description: DIODES INC. - ZVP4105A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 170 mA, 10 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50, Dauer-Drainstrom Id: 170, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 625, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Verlustleistung: 625, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 10, Rds(on)-Prüfspannung: 5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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ZVP4105A | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZVP4105A | Diodes Incorporated |
MOSFET P-Chnl 50V |
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ZVP4105A | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP4105A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 170 mA, 10 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50 Dauer-Drainstrom Id: 170 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 625 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10 Rds(on)-Prüfspannung: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ZVP4105A |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Description: MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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| ZVP4105A |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET P-Chnl 50V
MOSFET P-Chnl 50V
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| ZVP4105A |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP4105A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 170 mA, 10 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Rds(on)-Prüfspannung: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZVP4105A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 170 mA, 10 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Rds(on)-Prüfspannung: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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