ZX5T851GTA Diodes Zetex
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Technische Details ZX5T851GTA Diodes Zetex
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 3 W.
Weitere Produktangebote ZX5T851GTA nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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ZX5T851GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZX5T851GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
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ZX5T851GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZX5T851GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZX5T851GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZX5T851GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZX5T851GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V |
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ZX5T851GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
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| ZX5T851GTA | Hersteller : Diodes Inc./Zetex |
NPN 6A 60V SOT-223 -55°C ~ 150°C (аналог DSS60601MZ4-13) |
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ZX5T851GTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZX5T851GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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