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ZX5T853GTA

ZX5T853GTA Diodes Incorporated

ZX5T853G.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.78 EUR
2000+0.72 EUR
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Technische Details ZX5T853GTA Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3, Power - Max: 3 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223-3, Frequency - Transition: 130MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ZX5T853GTA ZX5T853GTA Diodes Incorporated ZX5T853G.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V
auf Bestellung 7545 Stücke:
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10+1.39 EUR
100+0.92 EUR
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ZX5T853GTA ZX5T853GTA Diodes Incorporated ZX5T853G.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
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11+1.63 EUR
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Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
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