ZX5T949GTA

ZX5T949GTA Diodes Incorporated


ZX5T949G.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-223
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Technische Details ZX5T949GTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZX5T949GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 225hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Dauer-Kollektorstrom: 5.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Anzahl der Pins: 4Pins, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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ZX5T949GTA ZX5T949GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZX5T949G.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 30V
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ZX5T949GTA ZX5T949GTA Hersteller : DIODES INC. ZX5T949G.pdf Description: DIODES INC. - ZX5T949GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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ZX5T949GTA ZX5T949GTA Hersteller : DIODES INC. ZX5T949G.pdf Description: DIODES INC. - ZX5T949GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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ZX5T949GTA ZX5T949GTA Hersteller : Diodes Inc 4402356260747896zx5t949g.pdf Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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