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ZXMC4559DN8TA

ZXMC4559DN8TA Diodes Zetex

933zxmc4559dn8.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details ZXMC4559DN8TA Diodes Zetex

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8TA Hersteller : Diodes Zetex 933zxmc4559dn8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
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ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8TA Hersteller : Diodes Zetex 933zxmc4559dn8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
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ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8TA Hersteller : Diodes Zetex 933zxmc4559dn8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
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ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8TA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE799C30D27D74C4749&compId=ZXMC4559DN8.pdf?ci_sign=6dc7814dd543b44b19b056e7ec5289c548167779 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.6/-2.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8TA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMC4559DN8.pdf MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
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ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8TA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMC4559DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8TA Hersteller : Diodes Inc 933zxmc4559dn8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
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ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8TA Hersteller : Diodes Zetex 933zxmc4559dn8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
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ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8TA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMC4559DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
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