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ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC Diodes Zetex

zxmn10a09k.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details ZXMN10A09KTC Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN10A09KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.15W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

Weitere Produktangebote ZXMN10A09KTC nach Preis ab 1.57 EUR bis 6.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMN10A09KTC ZXMN10A09KTC DIODES INC. DIODS12406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN10A09KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.15W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.17 EUR
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ZXMN10A09KTC ZXMN10A09KTC Diodes Incorporated ZXMN10A09K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.87 EUR
100+1.96 EUR
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ZXMN10A09KTC ZXMN10A09KTC Diodes Incorporated ZXMN10A09K.pdf MOSFETs MOSFET N-CH 100V
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1+4.99 EUR
10+2.89 EUR
100+2.14 EUR
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ZXMN10A09KTC ZXMN10A09KTC DIODES INC. DIODS12406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN10A09KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.15W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.34 EUR
58+4.01 EUR
100+2.83 EUR
500+2.33 EUR
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ZXMN10A09KTC DIODS12406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN10A09KTC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A09KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.15W
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 1732 Stücke:
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500+2.33 EUR
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ZXMN10A09KTC ZXMN10A09K.pdf
ZXMN10A09KTC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
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Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V
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ZXMN10A09KTC
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET N-CH 100V
auf Bestellung 2504 Stücke:
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1+4.99 EUR
10+2.89 EUR
100+2.14 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A09KTC DIODS12406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN10A09KTC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A09KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.15W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+6.34 EUR
58+4.01 EUR
100+2.83 EUR
500+2.33 EUR
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