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ZXMN20B28KTC

ZXMN20B28KTC Diodes Zetex

zxmn20b28k.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details ZXMN20B28KTC Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Hersteller : Diodes Zetex zxmn20b28k.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN20B28K.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V
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2500+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
7500+0.43 EUR
12500+0.42 EUR
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ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN20B28K.pdf MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL
auf Bestellung 24466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+1.25 EUR
10+1.03 EUR
100+0.71 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN20B28K.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V
auf Bestellung 485963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.9 EUR
15+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014101120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014101120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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ZXMN20B28KTC Hersteller : Zetex ZXMN20B28K.pdf 10+ SOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Hersteller : Diodes Inc zxmn20b28k.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Hersteller : Diodes Zetex zxmn20b28k.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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