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Technische Details ZXMN2A01FTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 806, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote ZXMN2A01FTA nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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ZXMN2A01FTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXMN2A01FTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXMN2A01FTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXMN2A01FTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V |
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ZXMN2A01FTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMN2A01FTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMN2A01FTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V N-Chnl UMOS |
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ZXMN2A01FTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V |
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ZXMN2A01FTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 806 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 806 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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ZXMN2A01FTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 806 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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ZXMN2A01FTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMN2A01FTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.9A; Idm: 8A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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ZXMN2A01FTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.9A; Idm: 8A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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