Produkte > DIODES INCORPORATED > ZXMN2B01FTA
ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA Diodes Incorporated

ZXMN2B01F.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.2 EUR
6000+ 0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
75000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ZXMN2B01FTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote ZXMN2B01FTA nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn2b01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
332+0.47 EUR
456+ 0.33 EUR
460+ 0.32 EUR
594+ 0.24 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 332
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn2b01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
277+0.56 EUR
330+ 0.46 EUR
332+ 0.44 EUR
456+ 0.31 EUR
460+ 0.29 EUR
594+ 0.22 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 277
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN2B01F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
auf Bestellung 188643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+0.74 EUR
31+ 0.58 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN2B01F.pdf MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
auf Bestellung 14657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+0.76 EUR
10+ 0.61 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Hersteller : Diodes Inc zxmn2b01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
ZXMN2B01FTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMN2B01F.pdf ZXMN2B01FTA SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn2b01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar