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ZXMN2F34FHTA Diodes Zetex


zxmn2f34fh.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details ZXMN2F34FHTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote ZXMN2F34FHTA nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated ZXMN2F34FH.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
30000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA Diodes Zetex zxmn2f34fh.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.62 EUR
398+0.44 EUR
428+0.4 EUR
523+0.32 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
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ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA DIODES INC. DIODS11701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1173 Stücke:
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320+0.79 EUR
435+0.54 EUR
614+0.35 EUR
681+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
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ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA Diodes Zetex zxmn2f34fh.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
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221+0.81 EUR
265+0.65 EUR
286+0.58 EUR
398+0.4 EUR
428+0.36 EUR
523+0.29 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated ZXMN2F34FH.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
auf Bestellung 112155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
29+0.73 EUR
100+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated ZXMN2F34FH.pdf MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
auf Bestellung 45517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.63 EUR
100+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA DIODES INCORPORATED ZXMN2F34FH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.9A; 0.95W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.12Ω
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FH.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
30000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
286+0.62 EUR
398+0.44 EUR
428+0.4 EUR
523+0.32 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
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ZXMN2F34FHTA DIODS11701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1173 Stücke:
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320+0.79 EUR
435+0.54 EUR
614+0.35 EUR
681+0.31 EUR
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221+0.81 EUR
265+0.65 EUR
286+0.58 EUR
398+0.4 EUR
428+0.36 EUR
523+0.29 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
auf Bestellung 112155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+0.9 EUR
29+0.73 EUR
100+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.29 EUR
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auf Bestellung 45517 Stücke:
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3+1.39 EUR
10+0.63 EUR
100+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.9A; 0.95W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.12Ω
auf Bestellung 626 Stücke:
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