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ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA Diodes Zetex

zxmn2f34fh.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Technische Details ZXMN2F34FHTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote ZXMN2F34FHTA nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated ZXMN2F34FH.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
30000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA Diodes Zetex zxmn2f34fh.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.61 EUR
398+0.43 EUR
428+0.39 EUR
523+0.31 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
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ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA Diodes Zetex zxmn2f34fh.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.79 EUR
265+0.63 EUR
286+0.57 EUR
398+0.39 EUR
428+0.35 EUR
523+0.27 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA DIODES INC. DIODS11701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.79 EUR
435+0.54 EUR
614+0.35 EUR
681+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
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ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated ZXMN2F34FH.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 112155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
29+0.73 EUR
100+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated ZXMN2F34FH.pdf MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
auf Bestellung 45435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FH.pdf
ZXMN2F34FHTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
30000+0.2 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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398+0.43 EUR
428+0.39 EUR
523+0.31 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
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221+0.79 EUR
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286+0.57 EUR
398+0.39 EUR
428+0.35 EUR
523+0.27 EUR
1000+0.19 EUR
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ZXMN2F34FHTA DIODS11701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN2F34FHTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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ZXMN2F34FHTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 112155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+0.9 EUR
29+0.73 EUR
100+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.29 EUR
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ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FH.pdf
ZXMN2F34FHTA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
auf Bestellung 45435 Stücke:
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3+1.3 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.3 EUR
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