ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.4 EUR |
| 6000+ | 0.38 EUR |
| 9000+ | 0.36 EUR |
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Technische Details ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ZXMN3A01E6TA nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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ZXMN3A01E6TA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 282397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMN3A01E6TA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Chnl UMOS |
auf Bestellung 1524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMN3A01E6TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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ZXMN3A01E6TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 38 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| ZXMN3A01E6TA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ZXMN3A01E6TA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.05 EUR |
| 23+ | 0.92 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| ZXMN3A01E6TA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Chnl UMOS
MOSFETs 30V N-Chnl UMOS
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.73 EUR |
| 10+ | 1.08 EUR |
| 100+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 3000+ | 0.4 EUR |
| ZXMN3A01E6TA |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| ZXMN3A01E6TA |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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