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ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA Diodes Zetex

zxmn3f30fh.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details ZXMN3F30FHTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn3f30fh.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN3F30FH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn3f30fh.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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239+0.62 EUR
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMN3F30FH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.95W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.95W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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103+0.70 EUR
166+0.43 EUR
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363+0.20 EUR
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN3F30FH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
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21+0.84 EUR
32+0.56 EUR
100+0.41 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN3F30FH.pdf MOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
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4+0.94 EUR
10+0.59 EUR
100+0.39 EUR
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3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Hersteller : DIODES INC. DIODS12107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Hersteller : DIODES INC. ZXMN3F30FH.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Hersteller : Diodes Inc zxmn3f30fh.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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