ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ZXMN3F30FHTA nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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ZXMN3F30FHTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET |
auf Bestellung 14677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMN3F30FHTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 366845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMN3F30FHTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ZXMN3F30FHTA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
MOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.77 EUR |
| 10+ | 0.41 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.21 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| ZXMN3F30FHTA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 0.81 EUR |
| 36+ | 0.49 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.28 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| ZXMN3F30FHTA |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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