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ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA Diodes Zetex

zxmn3f30fh.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details ZXMN3F30FHTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Diodes Zetex zxmn3f30fh.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated ZXMN3F30FH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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290+0.6 EUR
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369+0.45 EUR
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1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Diodes Zetex zxmn3f30fh.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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276+0.58 EUR
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated ZXMN3F30FH.pdf MOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA DIODES INC. ZXMN3F30FH.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated ZXMN3F30FH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 366845 Stücke:
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22+0.96 EUR
36+0.58 EUR
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA DIODES INC. ZXMN3F30FH.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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ZXMN3F30FHTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
290+0.6 EUR
385+0.44 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
276+0.63 EUR
365+0.48 EUR
369+0.45 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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290+0.58 EUR
385+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3147 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
221+0.79 EUR
274+0.62 EUR
276+0.58 EUR
365+0.43 EUR
369+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
auf Bestellung 14677 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4+0.92 EUR
10+0.49 EUR
100+0.43 EUR
500+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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ZXMN3F30FHTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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266+0.94 EUR
323+0.71 EUR
412+0.52 EUR
681+0.31 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 366845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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22+0.96 EUR
36+0.58 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FH.pdf
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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148+1.69 EUR
237+0.98 EUR
363+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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