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Technische Details ZXMN4A06GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.9W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote ZXMN4A06GTA nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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ZXMN4A06GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V |
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ZXMN4A06GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMN4A06GTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5.6A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.075Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ZXMN4A06GTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5.6A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.075Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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ZXMN4A06GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V |
auf Bestellung 11770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMN4A06GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 40V N-Chnl UMOS |
auf Bestellung 40933 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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ZXMN4A06GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMN4A06GTA | Hersteller : DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 40V 7A ZXMN4A06GTA DIODES TZXMN4a06g Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ZXMN4A06GTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZXMN4A06GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXMN4A06GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |