ZXMN4A06GTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
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Technische Details ZXMN4A06GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 3.9W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.
Weitere Produktangebote ZXMN4A06GTA nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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ZXMN4A06GTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 40V N-Chnl UMOS |
auf Bestellung 28711 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMN4A06GTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V |
auf Bestellung 3441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMN4A06GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 3.9W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 5004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMN4A06GTA | DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 40V 7A ZXMN4A06GTA DIODES TZXMN4a06g Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| ZXMN4A06GTA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 40V N-Chnl UMOS
MOSFETs 40V N-Chnl UMOS
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.77 EUR |
| 10+ | 1.44 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 2000+ | 0.67 EUR |
| 5000+ | 0.64 EUR |
| ZXMN4A06GTA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.59 EUR |
| 13+ | 1.64 EUR |
| 100+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| ZXMN4A06GTA |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 5004 Stücke:
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| ZXMN4A06GTA |
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Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 40V 7A ZXMN4A06GTA DIODES TZXMN4a06g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 40V 7A ZXMN4A06GTA DIODES TZXMN4a06g
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| 20+ | 2.59 EUR |