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Technische Details ZXMN6A07FTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ZXMN6A07FTA nach Preis ab 0.12 EUR bis 1.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 391278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMN6A07FTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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