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ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated

ZXMN6A07Z.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPreis
1000+0.38 EUR
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Technische Details ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated ZXMN6A07Z.pdf MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 8853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.09 EUR
10+0.78 EUR
100+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.33 EUR
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ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated ZXMN6A07Z.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 9425 Stücke:
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16+1.11 EUR
23+0.8 EUR
100+0.56 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07ZTA DIODES INC. ZXMN6A07Z.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMN6A07ZTA
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10+0.78 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
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Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
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Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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