ZXMN6A11ZTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.5 EUR |
| 2000+ | 0.44 EUR |
| 5000+ | 0.42 EUR |
| 10000+ | 0.4 EUR |
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Technische Details ZXMN6A11ZTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ZXMN6A11ZTA nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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ZXMN6A11ZTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
auf Bestellung 68050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMN6A11ZTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS |
auf Bestellung 21728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMN6A11ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| ZXMN6A11ZTA | ZETEX |
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auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ZXMN6A11ZTA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 68050 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 1.16 EUR |
| 18+ | 1.01 EUR |
| 100+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| ZXMN6A11ZTA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 21728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.78 EUR |
| 10+ | 1.1 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| 2000+ | 0.43 EUR |
| ZXMN6A11ZTA |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: ZETEX
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