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ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11K.pdf
Produktcode: 185461
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11KTC Diodes Incorporated ZXMN7A11K.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.59 EUR
5000+0.54 EUR
7500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMN7A11KTC ZXMN7A11KTC Diodes Incorporated ZXMN7A11K.pdf MOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET
auf Bestellung 4959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+1.41 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXMN7A11KTC ZXMN7A11KTC Diodes Incorporated ZXMN7A11K.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.22 EUR
13+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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ZXMN7A11KTC ZXMN7A11KTC DIODES INC. ZXMN7A11K.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMN7A11KTC ZXMN7A11KTC DIODES INC. ZXMN7A11K.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ZXMN7A11KTC ZETEX ZXMN7A11K.pdf 09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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ZXMN7A11KTC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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AnzahlPreis
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ZXMN7A11KTC
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET
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AnzahlPreis
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10+1.41 EUR
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ZXMN7A11KTC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
8+2.22 EUR
13+1.4 EUR
100+0.92 EUR
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ZXMN7A11KTC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11K.pdf
ZXMN7A11KTC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN7A11KTC ZXMN7A11K.pdf
Hersteller: ZETEX
09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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