ZXMP10A13FQTA
Produktcode: 194601
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ZXMP10A13FQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A13FQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A13FQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A13FQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A13FQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 231000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A13FQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 477000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP10A13FQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V P-Ch Enh FET 20Vgs -0.5A ID 625mW |
auf Bestellung 8830 Stücke: Lieferzeit 66-70 Tag (e) |
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ZXMP10A13FQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 477829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP10A13FQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A13FQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 7297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A13FQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 806mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 7297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |