ZXMP10A13FTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.31 EUR |
| 6000+ | 0.28 EUR |
| 9000+ | 0.27 EUR |
| 15000+ | 0.26 EUR |
| 21000+ | 0.25 EUR |
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Technische Details ZXMP10A13FTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ZXMP10A13FTA nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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ZXMP10A13FTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 829187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP10A13FTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch 100 Volt 0.7A |
auf Bestellung 22784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP10A13FTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 12825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP10A13FTA | Hersteller : DIODES/ZETEX |
P-MOSFET 0.7A 100V 625mW 1Ω ZXMP10A13FTA Diodes TZXMP10A13F Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| ZXMP10A13FTA | Hersteller : Diodes |
MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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