Technische Details ZXMP10A17E6QTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote ZXMP10A17E6QTA nach Preis ab 0.46 EUR bis 2.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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ZXMP10A17E6QTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A17E6QTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R |
auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A17E6QTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 141000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP10A17E6QTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS61V-100V |
auf Bestellung 4320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP10A17E6QTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 145964 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP10A17E6QTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A17E6QTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP10A17E6QTA |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.46 EUR |
| ZXMP10A17E6QTA |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.48 EUR |
| ZXMP10A17E6QTA |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.62 EUR |
| 6000+ | 0.57 EUR |
| 9000+ | 0.56 EUR |
| 15000+ | 0.55 EUR |
| ZXMP10A17E6QTA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS61V-100V
MOSFETs MOSFET BVDSS61V-100V
auf Bestellung 4320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.34 EUR |
| 10+ | 1.49 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 3000+ | 0.6 EUR |
| 6000+ | 0.57 EUR |
| ZXMP10A17E6QTA |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 145964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.45 EUR |
| 14+ | 1.54 EUR |
| 100+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| ZXMP10A17E6QTA |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 89+ | 2.82 EUR |
| 141+ | 1.65 EUR |
| 212+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| ZXMP10A17E6QTA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.82 EUR |
| 141+ | 1.65 EUR |
| 212+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |





