ZXMP10A17E6TA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
auf Bestellung 246000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.48 EUR |
| 6000+ | 0.45 EUR |
| 9000+ | 0.42 EUR |
| 30000+ | 0.41 EUR |
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Technische Details ZXMP10A17E6TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ZXMP10A17E6TA nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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ZXMP10A17E6TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 100V P-Chanl UMOS |
auf Bestellung 95517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP10A17E6TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V |
auf Bestellung 252830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP10A17E6TA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.3A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -1.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ZXMP10A17E6TA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.3A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -1.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A17E6TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 11315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A17E6TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 11315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A17E6TA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZXMP10A17E6TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZXMP10A17E6TA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |