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ZXMP10A17KTC

ZXMP10A17KTC Diodes Zetex

54zxmp10a17k.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details ZXMP10A17KTC Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMP10A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.4 A, 0.35 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMP10A17KTC ZXMP10A17KTC Diodes Incorporated ZXMP10A17K.pdf MOSFETs 100V P-Ch MOSFET 20V VGS -11.3A IDM
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10+1.83 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
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ZXMP10A17KTC ZXMP10A17KTC DIODES INC. DIODS21633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP10A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.4 A, 0.35 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
129+1.81 EUR
184+1.17 EUR
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ZXMP10A17KTC ZXMP10A17KTC DIODES INC. DIODS21633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP10A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.4 A, 0.35 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
129+1.81 EUR
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ZXMP10A17KTC ZXMP10A17KTC Diodes Incorporated ZXMP10A17K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
auf Bestellung 652 Stücke:
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7+3.25 EUR
11+2.06 EUR
100+1.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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MOSFETs 100V P-Ch MOSFET 20V VGS -11.3A IDM
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ZXMP10A17KTC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.4 A, 0.35 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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ZXMP10A17KTC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.4 A, 0.35 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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