ZXMP10A18GTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXMP10A18GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ZXMP10A18GTA nach Preis ab 0.93 EUR bis 4.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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ZXMP10A18GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXMP10A18GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXMP10A18GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 193000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A18GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
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ZXMP10A18GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A18GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
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ZXMP10A18GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V P-Chnl UMOS |
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ZXMP10A18GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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ZXMP10A18GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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ZXMP10A18GTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP10A18GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXMP10A18GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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