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ZXMP10A18GTA

ZXMP10A18GTA Diodes Zetex

zxmp10a18g.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZXMP10A18GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmp10a18g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP10A18G.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
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ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmp10a18g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EDAF654EC2E4143&compId=ZXMP10A18G.pdf?ci_sign=aa43785d816a4df446909fad6c1fcfffc418b4a2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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40+1.82 EUR
50+1.43 EUR
53+1.34 EUR
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ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP10A18G.pdf MOSFETs 100V P-Chnl UMOS
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1+3.92 EUR
10+2.68 EUR
100+1.83 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.32 EUR
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ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP10A18G.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
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5+4.1 EUR
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ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014506496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1196 Stücke:
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ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014506496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
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