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ZXMP3A13FTA

ZXMP3A13FTA Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details ZXMP3A13FTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMP3A13FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXMP3A13FTA ZXMP3A13FTA Diodes Zetex 346493833694789zxmp3a13f.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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ZXMP3A13FTA ZXMP3A13FTA Diodes Zetex 346493833694789zxmp3a13f.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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ZXMP3A13FTA ZXMP3A13FTA Diodes Incorporated ZXMP3A13F.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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ZXMP3A13FTA ZXMP3A13FTA Diodes Zetex 346493833694789zxmp3a13f.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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ZXMP3A13FTA ZXMP3A13FTA DIODES INCORPORATED ZXMP3A13F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.69 EUR
144+0.5 EUR
211+0.34 EUR
252+0.28 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.16 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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ZXMP3A13FTA ZXMP3A13FTA Diodes Incorporated ZXMP3A13F.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.92 EUR
29+0.62 EUR
100+0.42 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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ZXMP3A13FTA ZXMP3A13FTA Diodes Incorporated ZXMP3A13F.pdf MOSFETs 30V P-Chnl UMOS
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3+1.2 EUR
10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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ZXMP3A13FTA ZXMP3A13FTA DIODES INC. ZXMP3A13F.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP3A13FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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ZXMP3A13FTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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ZXMP3A13FTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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ZXMP3A13FTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000
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ZXMP3A13FTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.3 EUR
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ZXMP3A13FTA
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
144+0.5 EUR
211+0.34 EUR
252+0.28 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.16 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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ZXMP3A13FTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.92 EUR
29+0.62 EUR
100+0.42 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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ZXMP3A13FTA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V P-Chnl UMOS
auf Bestellung 19324 Stücke:
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Anzahl Preis
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10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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ZXMP3A13FTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3A13FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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