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ZXMP3A16DN8TA

ZXMP3A16DN8TA Diodes Zetex

zxmp3a16dn8.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details ZXMP3A16DN8TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated ZXMP3A16DN8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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500+1.37 EUR
1000+1.25 EUR
1500+1.19 EUR
2500+1.13 EUR
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5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA DIODES INC. DIODS12118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 450 Stücke:
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ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated ZXMP3A16DN8.pdf MOSFETs Dl 30V P-Chnl UMOS
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1+3.62 EUR
10+2.43 EUR
100+1.74 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.12 EUR
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ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA DIODES INC. DIODS12118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 450 Stücke:
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ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated ZXMP3A16DN8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.53 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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ZXMP3A16DN8TA DIODES/ZETEX ZXMP3A16DN8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
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ZXMP3A16DN8TA Zetex ZXMP3A16DN8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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ZXMP3A16DN8TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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ZXMP3A16DN8TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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ZXMP3A16DN8TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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95+2.46 EUR
132+1.63 EUR
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ZXMP3A16DN8TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.97 EUR
10+2.53 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8.pdf
Hersteller: DIODES/ZETEX
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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20+2.08 EUR
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Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
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10+3.31 EUR
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