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ZXMP3A16DN8TA

ZXMP3A16DN8TA Diodes Zetex

zxmp3a16dn8.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SO T/R
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Technische Details ZXMP3A16DN8TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP3A16DN8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
1500+1.00 EUR
2500+0.95 EUR
3500+0.92 EUR
5000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP3A16DN8.pdf MOSFETs Dl 30V P-Chnl UMOS
auf Bestellung 268 Stücke:
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Anzahl Preis
1+3.04 EUR
10+2.04 EUR
100+1.46 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.94 EUR
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ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP3A16DN8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 6058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.34 EUR
10+2.13 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Hersteller : DIODES INC. DIODS12118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Hersteller : DIODES INC. DIODS12118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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ZXMP3A16DN8TA Hersteller : DIODES/ZETEX ZXMP3A16DN8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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ZXMP3A16DN8TA Hersteller : Zetex ZXMP3A16DN8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Hersteller : Diodes Zetex zxmp3a16dn8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SO T/R
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ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Hersteller : Diodes Inc zxmp3a16dn8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SOIC T/R
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