ZXMP4A57E6TA
Produktcode: 113909
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Weitere Produktangebote ZXMP4A57E6TA nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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ZXMP4A57E6TA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R |
auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP4A57E6TA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP4A57E6TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 5795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP4A57E6TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 5795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP4A57E6TA | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40 SOT26,3K |
auf Bestellung 11961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP4A57E6TA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V |
auf Bestellung 67653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP4A57E6TA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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ZXMP4A57E6TA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 41 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP4A57E6TA | DIODES/ZETEX |
P-MOSFET 40V 2.9A 1.1W ZXMP4A57E6TA TZXMP4a57e6 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| ZXMP4A57E6TA |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.31 EUR |
| ZXMP4A57E6TA |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.44 EUR |
| 6000+ | 0.4 EUR |
| 9000+ | 0.38 EUR |
| 15000+ | 0.37 EUR |
| ZXMP4A57E6TA |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 262+ | 0.95 EUR |
| 356+ | 0.65 EUR |
| 455+ | 0.48 EUR |
| 527+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |
| 5000+ | 0.38 EUR |
| ZXMP4A57E6TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 262+ | 0.95 EUR |
| 356+ | 0.65 EUR |
| 455+ | 0.48 EUR |
| 527+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |
| 5000+ | 0.38 EUR |
| ZXMP4A57E6TA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40 SOT26,3K
MOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40 SOT26,3K
auf Bestellung 11961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.39 EUR |
| 10+ | 0.9 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 3000+ | 0.4 EUR |
| 24000+ | 0.38 EUR |
| ZXMP4A57E6TA |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
auf Bestellung 67653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 1.8 EUR |
| 19+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| ZXMP4A57E6TA |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXMP4A57E6TA |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXMP4A57E6TA |
Hersteller: DIODES/ZETEX
P-MOSFET 40V 2.9A 1.1W ZXMP4A57E6TA TZXMP4a57e6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 40V 2.9A 1.1W ZXMP4A57E6TA TZXMP4a57e6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 1.15 EUR |





