ZXMP6A13FQTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 6000+ | 0.22 EUR |
| 9000+ | 0.21 EUR |
| 15000+ | 0.2 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ZXMP6A13FQTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ZXMP6A13FQTA nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP6A13FQTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V P-Ch Enh Fet 20Vgs 625pD 219pF |
auf Bestellung 62705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMP6A13FQTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
auf Bestellung 976753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
ZXMP6A13FQTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ZXMP6A13FQTA |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V P-Ch Enh Fet 20Vgs 625pD 219pF
MOSFETs 60V P-Ch Enh Fet 20Vgs 625pD 219pF
auf Bestellung 62705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.48 EUR |
| 10+ | 0.39 EUR |
| 100+ | 0.34 EUR |
| 500+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.28 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| ZXMP6A13FQTA |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Description: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
auf Bestellung 976753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 36+ | 0.49 EUR |
| 45+ | 0.4 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| ZXMP6A13FQTA |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)