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ZXMP6A13FTA

ZXMP6A13FTA Diodes Zetex

352521664829814zxmp6a13f.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details ZXMP6A13FTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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ZXMP6A13FTA ZXMP6A13FTA Hersteller : Diodes Zetex 352521664829814zxmp6a13f.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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ZXMP6A13FTA ZXMP6A13FTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP6A13F.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
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3000+0.28 EUR
6000+0.27 EUR
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15000+0.25 EUR
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ZXMP6A13FTA ZXMP6A13FTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP6A13F.pdf MOSFETs 60V P-Chnl UMOS
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100+0.51 EUR
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ZXMP6A13FTA ZXMP6A13FTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP6A13F.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
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ZXMP6A13FTA ZXMP6A13FTA Hersteller : Diodes Zetex 352521664829814zxmp6a13f.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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ZXMP6A13FTA ZXMP6A13FTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003395119-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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ZXMP6A13FTA ZXMP6A13FTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003395119-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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ZXMP6A13FTA ZXMP6A13FTA Hersteller : Diodes Inc 352521664829814zxmp6a13f.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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ZXMP6A13FTA Hersteller : Diodes Inc./Zetex ZXMP6A13F.pdf P-Channel 60V 900mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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ZXMP6A13FTA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF88FE6164A47380D6&compId=ZXMP6A13FTA.pdf?ci_sign=c325c8cb1817ed3eb87c37f60ee1736ecd744fa7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.9A; Idm: -4A; 0.806W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -900mA
Pulsed drain current: -4A
Power dissipation: 0.806W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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